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我国科学家创新研发第三类存储技术
科学家 第三类 存储技术
2018/4/10
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。4月10日，这一重要研究成果将以长文形式在线发表于《自然—纳米技术》。
董依然， 1979年5月出生，现为环境学院教授，主要研究方向为环境微生物和生物地球化学。她2009年获得美国俄克拉荷马大学博士学位，并在美国伊利诺伊大学香槟分校从事科研工作。她在环境微生物组学等方面取得了一系列创新成果，近五年在《环境工程和技术》等重要期刊上发表SCI论文12篇。其成果被美国国家航空和宇宙航行局、美国能源部等作为科研亮点多次报道。董凯锋，1981年9月出生，现为自动化学院副教授，主...
2018年3月9日上午，应重庆大学计算机学院邀请，清华大学计算机系舒继武教授在主教学楼1811会议室做了一场题为“大数据时代的存储系统若干变化的思考”的学术讲座。计算机学院刘铎研究员主持报告会。舒老师首先指出了存储系统正面临大数据时代海量数据带来的挑战，然后分别介绍了面向大数据的闪存存储系统、面向大数据的持久性内存存储系统与新型分布式存储系统。针对大数据时代下存储系统的变革，舒老师从三个方面进行了...
澳大利亚著名学者杨耘教授来上海理工大学讲学（图）
澳大利亚 著名学者 杨耘教授 上海理工大学
2017/12/27
2017年12月21日，应上海理工大学电子商务发展研究院朱小栋副教授的邀请，澳大利亚斯威本科技大学(Swinburne University of Technology)杨耘教授到上海理工大学讲学，在管理学院科技楼四楼第二会议室为学校师生作了题为“Computation and storage in the cloud - understanding the trade- offs（云计算中的存储...
清华大学微纳电子系任天令团队在极低功耗阻变存储器研究取得重要进展（图）
清华大学微纳电子系 任天令团队 极低功耗 阻变存储器
2017/12/13
2017年12月4日，清华大学微纳电子系任天令教授团队在《美国化学学会·纳米》（ACS Nano）上发表了题为《面向神经计算应用基于机械剥离二维钙钛矿材料的极低工作电流阻变存储器》（“Extremely Low Operating Current Resistive Memory Based on Exfoliated 2D Perovskite Single Crystals for Neuro...
科学家突破相变存储速度极限
相变存储速度极限 材料 储器技术
2017/11/13
西安交通大学与中科院上海微系统与信息技术研究所的科学家，利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了基础。2017年11月10日，相关论文发表于《科学》杂志。
目前，商用计算体系架构内各存储部件，即缓存、内存和闪存之间的性能差距日益加大，其间的数据交换效率也已成为电子设备发展...
进入新世纪以来，信息技术越来越成为全球经济中最宏大、最具活力的产业。然而随着磁盘提速运转，传统材料的存储容量及运算速度终将达到物理极限，成为制约该领域发展的一大瓶颈。因此开发轻型化、便携化和超高密度的新型存储材料迫在眉睫。缩小信息记录点尺寸是提高存储密度的有效途径之一，自旋交叉材料与单分子磁体和电荷转移体系都是典型的磁双稳态体系，可望在分子水平上实现信息存储，近年来引起了世界各国研究人员的极大兴趣...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。相变存储器利...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。相变存储器利...
近日，电子信息工程学院陈军宁教授课题组在静态随机存取存储器（SRAM）研究方面取得重要进展，论文《A Pipeline Replica Bitline Technique for Suppressing Timing Variation of SRAM Sense Amplifiers in a 28-nm CMOS Process》在期刊《IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE ...
日前，中国老科学技术工作者协会公布2017年度老科协奖，我校祖静教授荣获2017年度中国老科学技术工作者协会突出贡献奖，成为本年度全国获此殊荣的10名老科技工作者之一。山西省省劳动模范、科技功臣祖静教授是我国“存储测试技术”奠基人，曾获国家发明二等奖和发明三等奖各一项、省部级科技进步二等奖两项，均为第一完成人。在此基础上开发的数据存储记录器，成功运用于“神州一号”至“神州九号”、“天宫一号”等航天...
清华大学：刷新量子存储容量国际纪录
清华大学 量子存储容量 国际纪录
2017/5/22
日前，清华大学量子信息中心段路明研究组在量子信息领域取得重要进展，首次实现具有225个存储单元的原子量子存储器，将量子存储器存储容量的国际纪录提高了一个多数量级。
清华大学量子信息中心段路明研究组在量子信息领域取得重要进展，首次实现具有225个存储单元的原子量子存储器，将量子存储器存储容量的国际记录提高了一个多数量级。该成果的研究论文《225个存储单元的量子存储器的实验实现》（“Experimental realization of a multiplexed quantum memory with 225 individually accessible m...
“中国高被引学者”榜单包含了1744名横跨38个学科领域的中国学者，入选近日，爱思唯尔（Elsevier）发布2016年中国高被引学者（Most Cited Chinese Researchers）榜单，西南交通大学7名学者进入榜单、涉及5个学术领域，分别为康国政教授、周仲荣教授、范平志教授、唐小虎教授、王家素教授、王素玉教授、张继业教授。