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2023年“职教国培”示范项目集成电路类专业带头人培训班顺利开班(图)
职教国培 集成电路 培训班
2023/6/25
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展(图)
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
2023/6/21
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础,将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上,极大提升芯片的信息传输和处理能力,可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅(Si)材料发光效率低,因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上,并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...
东南大学集成电路学院正式揭牌(图)
东南大学 集成电路
2023/6/7
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料,对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求,亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题,进而开发大直径单晶晶体生长技术,实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控,满足射频、存储等领域的应用需求。
南方科技大学深港微电子学院参加ISEDA2023(图)
南方科大 深港微电子 ISEDA 模拟电路
2023/5/17
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展(图)
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测,但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷,使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力,在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力,被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展(图)
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展(图)
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展(图)
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/5/9
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。